检测未测到死灯的原因，检测未测到死灯的原因是什么

关键词：LED 死灯、原因、芯片、静电、外延缺陷、化学物残余、受损

小标题：LED 死灯的常见原因

段落：目前，LED 技术日益走向成熟，其面世以来宣扬的寿命长的优点一直是大众关注的重点之一。但是从近些年看来，在 LED 生产和应用当中，我们还是碰到不少“死灯”现象。所谓死灯，又称为灭灯，就是 LED 光源不亮。不管是生产还是应用当中产生的死灯，都是生产厂商十分头疼的难题，既要面对产品不良带来的损失，也影响了消费者对 LED 产品的信心。因此，对一些常见的 LED 死灯原因进行研究分析，有助于我们减少和预防 LED 产品失效现象重复发生，保障产品质量和提高产品竞争力，同时也为企业技术改善和提升提供参考，从而为企业创造更大的经济效益。香港科技大学佛山中心自 2011 年成立以来，积累不少死灯案例，总结下来，常见的 LED 死灯原因主要有以下几种情况：

1. 焊线断裂

对于“死灯”，首先我们应确定 LED 是短路还是开路，如果是开路，我们一般会考虑 LED 灯内部的焊线是否断开。LED 灯内部的焊线断开，导致 LED 没有供电电压，这是 LED 死灯的常见原因之一。焊线常见的断开位置有 5 个地方，如图 1 所示 A、B、C、D、E 点：

2. 芯片抗静电能力差

LED 灯珠的抗静电指标高低取决于 LED 发光芯片本身，与封装材料预计封装工艺基本无关，或者说影响因素很小，很细微；LED 灯更容易遭受静电损伤，这与两个引脚间距有关系，LED 芯片裸晶的两个电极间距非常小，一般是一百微米以内吧，而 LED 引脚则是两毫米左右，当静电电荷要转移时，间距越大，越容易形成大的电位差，也就是高的电压。所以，封成 LED 灯后往往更容易出现静电损伤事故。

3. 芯片外延缺陷

LED 外延片在高温长晶过程中，衬底、MOCVD 反应腔内残留的沉积物、外围气体和 Mo 源都会引入杂质，这些杂质会渗入磊晶层，阻止氮化镓晶体成核，形成各种各样的外延缺陷，最终在外延层表面形成微小坑洞，这些也会严重影响外延片薄膜材料的晶体质量和性能。

4. 芯片化学物残余

电极加工是制作 LED 芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨，会接触到很多化学清洗剂，如果芯片清洗不够干净，会使有害化学物残余。这些有害化学物会在 LED 通电时，与电极发生电化学反应，导致死灯、光衰、暗亮、发黑等现象出现。因此，鉴定芯片化学物残留对 LED 封装厂来说至关重要。

5. 芯片的受损

LED 芯片的受损会直接导致 LED 失效，因此提高 LED 芯片的可靠性至关重要。蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕。黄光作业若显影不完全及光罩有破洞会使发光区有残余多出的金属。晶粒在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤的情况发生。芯片电极对焊点的影响：芯片电极本身蒸镀不牢靠，导致焊线后电极脱落或损伤；芯